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成果领域:
推广方式:
成果归属企业: 深圳大学
成果鉴定时间:
成果介绍
本发明属于材料制备技术领域,特别涉及一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法。本发明采用氧化之后的M箔片作为CVD制备二维材料的M前驱物,X粉为X源,通过CVD高温区和低温区设置,采用特定的升温和冷却程序,制备得到结晶性良好的单层二维材料MX2,为之后的大面积二维材料的生长制备提供了新的思路。
成果应用案例介绍
方法过程>制备方法>制备; 材料制品>其它材料>单层二维过渡金属硫化物材料
联系方式
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