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多孔硅复合负极材料及其制备方法和锂离子电池
成果领域:
推广方式:
成果归属企业: 深圳大学
成果鉴定时间:
成果介绍
本发明公开了一种半导体影像传感器,在其像素阵列内部中的除光电二极管(D1)的光敏感区域以外的位置上,罩有由不透明导电材料构成的遮光结构;所述遮光结构与构成光电二极管(D1)一极的由半导体材料构成的区域间呈环状接触,仅在引出光电二极管(D1)另外一极的引线的位置留有开口;所述遮光结构在像素阵列内部仅在每个所述环状接触内部以及所述开口处具有孔洞。在本发明中,曝光开始及结束控制晶体管(M1、M2)的漏极分别连接到信号存储电容(C1)的两端,在使用0.5微米CMOS混合信号工艺实施本发明时,其最短快门选通时间仅75皮秒,对405纳米可见光的残留感光低至八千万分之一,具有超高速快门和低残留感光的特性。
成果应用案例介绍
测量实验>传感器>半导体图像传感器
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