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一种云存储服务平台的访问控制系统的访问控制方法
成果领域:
推广方式:
成果归属企业: 深圳大学
成果鉴定时间:
成果介绍
本发明公开了一种通过改变沟道掺杂浓度来抑制pMOS器件NBTI退化的方法,包括(1)根据功函数差Vms获得器件的平带电压VFB;并通过选择不同功函数的金属栅材料,获得不同平带电压随着掺杂浓度Nd的变化关系;(2)根据平带电压VFB获得不同平带电压下器件阈值电压Vth随沟道掺杂浓度Nd的变化关系;(3)当器件阈值电压为工作电压的1/4‑1/5时,获得不同平带电压时器件的掺杂浓度Nd;(4)获得不同平带电压、不同掺杂浓度且相同阈值电压时器件NBTI退化程度;(5)判断器件NBTI退化程度是否满足实际需求,若是,则抑制了器件NBTI的退化;若否,则选择不同功函数的金属栅材料并返回至步骤(1)。本发明通过改变沟道掺杂浓度对器件NBTI退化进行了抑制,抑制效果显著。
成果应用案例介绍
元器件>其它元器件>沟道掺杂浓度改变抑制器件
联系方式
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