芯片材料的质量水平决定着未来现代信息科学技术水平，也是国家实力的体现。当前该领域卡脖子的问题很多，关键都在芯片材料的质量水平不过关，器件低效、尺寸大、成本高都是未解决或未解决好的问题。有机材料最终因质轻、价廉、柔韧和可任意裁剪性为小尺寸而成为未来有潜力的芯片材料候选物。蒽基有机半导体材料因发光和电荷传输都展现出优越特性而备受关注，是当前在国内外该领域的热点研究对象。我们团队采用多尺度模拟手段对蒽基骨架杂原子修饰基外周修饰对材料电荷载流子迁移行为的影响进行了系统研究，指出骨架取代影响更大，外周取代基可起微调作用。O,N骨架掺杂和-CF3的协同作用可起到调控载流子传输从空穴到双极性传输性质的转变。进一步研究了蒽基材料外周取代基对材料的晶体堆积模式调控行为，指出2,6位芳基取代尺度增大，可增大材料载流子注入稳定性、热稳定性及使用寿命。