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发明专利:《较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法》,专利号:ZL201210222035.0,排名第一 发明专利:《c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法》,专利号:ZL201210436117.5,排名第一 发明专利:《宽温宽频低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法》,专利号:ZL201210220728.6,排名第二 获“肇庆市重点项目建设和重点工作先进个人 肇庆市科技计划项目:《高阻低B值NTC热敏芯片用半导体陶瓷粉料研制》,排名第二,主要研发人员 广东省科技计划项目:《面向信息